-
رقاقة SiC للدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة، وثنائيات شوتكي، والثنائيات الضوئيةتُستخدم رقاقة كربيد السيليكون، وهي مادة شبه موصلة من الجيل الجديد، في تصنيع الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET)، وثنائيات شوتكي، والثنائيات الضوئية، وغيرها من الأجهزة الإلكترونية.